国内首款,中国信科成功研制1.6Tb/s硅光互连芯片

作者:潇冷 来源:原创 2021-12-29

  近日,中国信息通信科技集团光纤通信技术和网络国家重点实验室,联合国家信息光电子创新中心(NOEIC)、鹏城实验室,在国内率先完成1.6Tb/s硅基光收发芯片的研制和功能验证。

  该芯片的成功研制,实现了我国硅光芯片技术向Tb/s级的首次跨越,为我国下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案。

  据悉,光芯片是光通信系统中的关键核心器件,硅光芯片作为采用硅光子技术的光芯片,是将硅光材料和器件通过特色工艺制造的新型集成电路。相对于传统三五族材料光芯片,因使用硅作为集成芯片衬底,硅光芯片具有集成度高、成本低、光波导传输性能好等特点。

  目前,国际上400G光模块已进入商用部署阶段,800G光模块样机研制和技术标准正在推进中,而1.6Tb/s光模块将成为下一步全球竞相追逐的热点。

  在本次1.6Tb/s硅基光收发芯片的联合研制和功能验证中,研究人员分别在单颗硅基光发射芯片和硅基光接收芯片上集成了8个通道高速电光调制器和高速光电探测器,每个通道可实现200Gb/s PAM4高速信号的光电和电光转换,最终经过芯片封装和系统传输测试,完成了单片容量高达8 * 200Gb/s光互连技术验证。

  该工作刷新了国内此前单片光互连速率和互连密度的最好水平纪录,展现出硅光技术的超高速、超高密度、高可扩展性等突出优势,为下一代数据中心内的宽带互连提供了可靠的光芯片解决方案,将为超级计算、人工智能等新技术、新产业蓬勃发展提供有力支撑。

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